| 型號： | RJK03E2DNS-00#J5 |
| 廠商： | Renesas Electronics America |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 16A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫歐 @ 8A，10V |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 7.3nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1540pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 12.5W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-WDFN 裸露焊盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-HWSON（3.3x3.3） |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | RJK03E2DNS-00#J5DKR |