| 型號(hào)： |
RJK03E2DNS-00#J5 |
| 廠(chǎng)商： |
Renesas Electronics America |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
3/7頁(yè) |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門(mén)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
30V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
16A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
9 毫歐 @ 8A，10V
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
7.3nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
1540pF @ 10V
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| 功率 - 最大： |
12.5W
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| 安裝類(lèi)型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
8-WDFN 裸露焊盤(pán)
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
8-HWSON（3.3x3.3）
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱(chēng)： |
RJK03E2DNS-00#J5DKR
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