- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄69315 > R5F64185PFD 64-BIT, FLASH, MICROCONTROLLER, PQFP144 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | R5F64185PFD |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 64-BIT, FLASH, MICROCONTROLLER, PQFP144 |
| 封裝： | 20 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-144 |
| 文件頁數(shù)： | 114/126頁 |
| 文件大?。?/td> | 899K |
| 代理商： | R5F64185PFD |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁當前第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁
REJ03B0255-0110
Rev.1.10
Page 88 of 123
Jun 23, 2010
R32C/118 Group
5. Electrical Characteristics
Notes:
1.
Program/erase definition
This value represents the number of erasures per block.
If the flash memory is programmed/erased n times, each block can be erased n times.
i.e. If 4-word write is performed in 512 different addresses in the block A of 4 Kbyte and then the
block is erased, it is considered the programming/erasure is performed just once.
However a write in the same address more than once for one erasure is disabled (overwrite
disabled).
2.
The data retention time includes the periods when the supply voltage is not applied and no clock is
provided.
3.
Please contact a Renesas Electronics sales office regarding data retention time other than the
above.
Table 5.7
RAM Electrical Characteristics
(VCC = 3.0 to 5.5 V, VSS =0V, and Ta = Topr, unless otherwise noted)
Symbol
Characteristic
Measurement
condition
Value
Unit
Min.
Typ.
Max.
VRDR
RAM data retention voltage
in stop mode
2.0
V
Table 5.8
Flash Memory Electrical Characteristics
(VCC = 3.0 to 5.5 V, VSS =0V, and Ta = Topr, unless otherwise noted)
Symbol
Characteristic
Value
Unit
Min.
Typ.
Max.
—
Programming and erasure endurance of flash
memory (1)
Program area
1000
times
Data area
10000
times
—
4-word program time
Program area
150
900
s
Data area
300
1700
s
—
Lock bit-program time
Program area
70
500
s
Data area
140
1000
s
—
Block erasure time
4 Kbyte block
0.12
3.0
s
32 Kbyte block
0.17
3.0
s
64 Kbyte block
0.20
3.0
s
—
Data retention (2)
Ta = 55°C (3)
10
years
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R5F64188PFB | 64-BIT, FLASH, MICROCONTROLLER, PQFP100 |
| R5F64188HNFD | 64-BIT, FLASH, MICROCONTROLLER, PQFP144 |
| R5F64188HDFD | 64-BIT, FLASH, MICROCONTROLLER, PQFP144 |
| R5F64188HDFB | 64-BIT, FLASH, MICROCONTROLLER, PQFP100 |
| R5F64188DFB | 64-BIT, FLASH, MICROCONTROLLER, PQFP100 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| R5F64186DFB | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:RENESAS MCU |
| R5F64186DFB#U0 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:R32C118 FL 512/40 100QFP 3-5.5 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:R32C118 FL 512/40 100QFP 3-5.5V -40/85C - Trays 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU 16BIT 512KB FLASH 100LQFP |
| R5F64186DFD | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:RENESAS MCU |
| R5F64186HDFB | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:RENESAS MCU |
| R5F64186HDFD | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:RENESAS MCU |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。