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參數(shù)資料
| 型號： | R5F5630EDDFC#V0 |
| 廠商： | Renesas Electronics America |
| 文件頁數(shù)： | 53/165頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MCU RX630 2MB FLASH 176-LQFP |
| 產(chǎn)品培訓模塊： | RX Compare Match Timer RX DMAC |
| 標準包裝： | 1 |
| 系列： | RX600 |
| 核心處理器： | RX |
| 芯體尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 100MHz |
| 連通性： | CAN，EBI/EMI，I²C，LIN，SCI，SPI，USB |
| 外圍設備： | DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 148 |
| 程序存儲器容量： | 2MB（2M x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 128K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 8x10b，21x12b，D/A 2x10b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 176-LQFP |
| 包裝： | 托盤 |
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R01DS0060EJ0100 Rev.1.00
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Sep 13, 2011
RX630 Group
5. Electrical Characteristics
5.5
USB Characteristics
Figure 5.38
DP and DM Output Timing (Full-Speed)
Figure 5.39
Test Circuit (Full-Speed)
Table 5.20
On-Chip USB Full-Speed Characteristics (DP and DM Pin Characteristics)
Conditions: VCC = AVCC0 = VCC_USB = 3.0 to 3.6 V, VREFH/VREFH0 = 3.0 V to AVCC0
VSS = AVSS0 = VREFL/VREFL0 = VCC_USB = 0 V
PCLK = 24 to 50 MHz
Ta = Topr
High drive output is selected by the drive capacity control register.
Item
Symbol
Min.
Max.
Unit
Test Conditions
Input
characteristics
Input high level voltage
VIH
2.0
—
V
Input low level voltage
VIL
—0.8
V
Differential input sensitivity
VDI
0.2
—
V
| DP – DM |
Differential common mode range
VCM
0.8
2.5
V
Output
characteristics
Output high level voltage
VOH
2.8
3.6
V
IOH = –200 A
Output low level voltage
VOL
0.0
0.3
V
IOL = 2 mA
Cross-over voltage
VCRS
1.3
2.0
V
Rise time
tLr
420
ns
Fall time
tLf
420
ns
Rise/fall time ratio
tLr / tLf
90
111.11
%
tLr / tLf
Output resistance
ZDRV
28
44
Rs = 22
included
DP, DM
tLf
tLr
90%
10%
90%
VCRS
Observation
point
22
22
50 pF
dp
dm
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參數(shù)描述 |
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| R5F5630EDDFP | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Renesas MCUs |
| R5F5630EDDFP#V0 | 功能描述:MCU RX630 2MB FLASH 100-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:RX600 標準包裝:96 系列:PIC® 16F 核心處理器:PIC 芯體尺寸:8-位 速度:20MHz 連通性:I²C，SPI 外圍設備:欠壓檢測/復位，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):11 程序存儲器容量:3.5KB（2K x 14） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:128 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.3 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 包裝:管件 |
| R5F5630EDDFPV0 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:32bitMCU, RX,2048K ROM,128K RAM,LFQFP100 |
| R5F5630EDDLC | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Renesas MCUs |
| R5F5630EDDLK | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Renesas MCUs |
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