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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | QSD128 |
| 廠商： | QT OPTOELECTRONICS |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商： | QSD128 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSD2030F | Plastic Silicon Photodiode |
| QSD2030 | PLASTIC SILICON PHOTODIODE |
| QSD422 | PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| QSD423 | PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| QSD424 | PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| QSD2030 | 功能描述:光電二極管 T-1 3- 4 SENSOR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長(zhǎng):565 nm 上升時(shí)間:3.1 us 下降時(shí)間:3 us 半強(qiáng)度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5 |
| QSD2030_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Plastic Silicon Photodiode |
| QSD2030_Q | 功能描述:光電二極管 T-1 3- 4 SENSOR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長(zhǎng):565 nm 上升時(shí)間:3.1 us 下降時(shí)間:3 us 半強(qiáng)度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5 |
| QSD2030F | 功能描述:光電二極管 PIN PHOTODIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長(zhǎng):565 nm 上升時(shí)間:3.1 us 下降時(shí)間:3 us 半強(qiáng)度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5 |
| QSD2030F_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Plastic Silicon Photodiode |
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