參數(shù)資料
型號(hào)： QSB320F
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 光敏三極管
英文描述： SURFACE MOUNT SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR
中文描述： PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
封裝： PLASTIC, LCC-2
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 50K
代理商： QSB320F
PARAMETER
Peak Sensitivity Wavelength
Wavelength Sensitivity Range
Reception Angle
Collector Emitter Dark Current
Collector Emitter Breakdown
Emitter Collector Breakdown
On-State Collector Current
Saturation Voltage
Rise Time
Fall Time
TEST CONDITIONS
SYMBOL
MIN
—
700
—
—
30
5
16
—
—
—
TYP
880
—
120
—
—
—
—
—
8
8
MAX
—
1000
—
200
—
—
—
0.3
—
—
UNITS
nm
nm
Deg.
D
PS
D
SR
0
I
D
BV
CEO
BV
ECO
I
C (ON)
V
CE (SAT)
t
r
t
f
V
CE
= 25 V, E
e
= 0
I
C
= 1 mA
I
E
= 100 μA
E
e
= 0.1 mW/cm
2
(4)
, V
CE
= 5 V
E
e
= 0.5 mW/cm
2
(4)
, I
C
= 0.05 mA
V
CC
= 5 V, R
L
= 100
1
I
C
= 1 mA
nA
V
V
μA
V
μs
μs
ELECTRICAL / OPTICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C)
NOTES
1. Derate power dissipation linearly
2.2 mW/°C above 25°C.
2. RMA flux is recommended.
3. Methanol or isopropyl alcohols
are recommended as cleaning
agents.
4.
D
= 940 nm.
Parameter
Symbol
T
OPR
T
STG
T
SOL-F
V
CE
V
EC
I
C
P
D
Rating
-55 to +100
-55 to +100
260 for 10 sec
35
5
15
165
Unit
°C
°C
°C
V
V
mA
mW
Operating Temperature
Storage Temperature
Soldering Temperature (Flow)
(2,3)
Collector Emitter Voltage
Emitter Collector Voltage
Collector Current
Power Dissipation
(1)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise specified)
PACKAGE DIMENSIONS
0.118 (3.0)
0.102 (2.6)
0.091 (2.3)
0.083 (2.1)
0.035 (0.9)
0.028 (0.7)
0.083 (2.1)
0.067 (1.7)
0.041 (0.1)
0.134 (3.4)
0.118 (3.0)
0.024 (0.6)
0.016 (0.4)
0.007 (.18)
0.005 (.12)
0.043 (1.1)
0.020 (0.5)
0.094 (2.4)
COLLECTOR
NOTES:
1. Dimensions for all drawings are in inches (millimeters).
2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non nominal dimensions
unless otherwise specified.
FEATURES
Surface Mount PLCC-2 Package
Wide Reception Angle, 120
°
High Sensitivity
Phototransistor Output
Matched Emitter: QEB421
Daylight Filter
SCHEMATIC
EMITTER
COLLECTOR
QSB320F
SURFACE MOUNT SILICON
INFRARED PHOTOTRANSISTOR
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
DS300387
2/26/01
1 OF 3
www.fairchildsemi.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
QSB320 SURFACE MOUNT SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR
QSB34GR SURFACE MOUNT SILICON PIN PHOTODIODE
QSB34ZR SURFACE MOUNT SILICON PIN PHOTODIODE
QSB34 SURFACE MOUNT SILICON PIN PHOTODIODE
QSB363C SUBMINIATURE PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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QSB320TR 功能描述:光電晶體管 Phototransistor SMD Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
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QSB34CZR 功能描述:光電二極管 PHOTOSENSOR PIN DIODE SMT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長(zhǎng):565 nm 上升時(shí)間:3.1 us 下降時(shí)間:3 us 半強(qiáng)度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5
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