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(若只采購一條型號(hào),填寫一行即可)| *型號(hào) | *數(shù)量 | 廠商 | 批號(hào) | 封裝 |
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| 型號(hào): | QSB320 |
| 廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類: | 光敏三極管 |
| 英文描述: | SURFACE MOUNT SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR |
| 中文描述: | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封裝: | PLASTIC, LCC-2 |
| 文件頁數(shù): | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商: | QSB320 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSB34GR | SURFACE MOUNT SILICON PIN PHOTODIODE |
| QSB34ZR | SURFACE MOUNT SILICON PIN PHOTODIODE |
| QSB34 | SURFACE MOUNT SILICON PIN PHOTODIODE |
| QSB363C | SUBMINIATURE PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| QSB363 | SUBMINIATURE PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| QSB320_Q | 功能描述:光電晶體管 Phototransistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSB320F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR |
| QSB320FTR | 功能描述:光電晶體管 Silicon Infrared Phototransistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSB320TR | 功能描述:光電晶體管 Phototransistor SMD Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSB34 | 功能描述:光電二極管 PHOTOSENSOR PIN DIODE SMT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時(shí)間:3.1 us 下降時(shí)間:3 us 半強(qiáng)度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5 |
| *型號(hào) | *數(shù)量 | 廠商 | 批號(hào) | 封裝 |
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