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參數(shù)資料
| 型號： | QM50TB-2HB |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 122 x 32 pixel format, Compact LCD size |
| 中文描述： | 中功率開關(guān)使用絕緣型 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | QM50TB-2HB |
Feb.1999
BuP EuP
BvPEvP
BwPEwP
BuN EuN
BvN EvN BwN EwN
P
N
U
V
W
P
N
10
102±
0.5
6 14 6 14 6
17
4–
φ
5.5
7–M4
7
8
1
3
1
2
2
3
4
1
9
±
22
20
80±
0.25
20
22
2
11
3
+
–
2
7
LABEL
Tab#110, t=0.5
8
P
N
BuP
EuP
BuN
EuN
U
BvP
EvP
BvN
EvN
V
BwP
EwP
BwN
EwN
W
P
N
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
APPLICATION
Inverters, Servo drives, DC motor controllers, NC equipment, Welders
QM50TB-2HB
I
C
V
CEX
h
FE
Insulated Type
UL Recognized
Collector current ..........................
50A
Collector-emitter voltage .........
1000V
DC current gain.............................
750
Yellow Card No. E80276 (N)
File No. E80271
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM50TB-2HB
MEDIUM POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
Note: All Transistor Units are 4-Stage Darlingtons.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QM50TB-2H | 122 x 32 pixel format, Compact LCD size |
| QM50TB24 | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CEO | 50A I(C) |
| QM50TB24B | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CEO | 50A I(C) |
| QM50TB2HB | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CEO | 50A I(C) |
| QM50TF-HB | MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| QM50TF-HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM50TX-H | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM50TX-HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM52103C240F5 | 制造商:Xilinx 功能描述:A0720849 |
| QM5210-3C240F5 | 制造商:Xilinx 功能描述:A0720849 |
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