- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄361231 > Q67060-S6502-A3 (SIEMENS AG) Smart Lowside Power Switch PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67060-S6502-A3 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Smart Lowside Power Switch |
| 中文描述： | 智能Lowside電源開(kāi)關(guān) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 138K |
| 代理商： | Q67060-S6502-A3 |
13.07.1998
Semiconductor Group
Page 6
BTS 141
On-state resistance
R
ON
= f(T
j
);
I
D
=12A; V
IN
=10V
-50
-25
0
25
50
75
100
°C
150
T
j
0
10
20
30
40
60
R
DS(on)
typ.
max.
Maximum allowable power dissipation
P
tot
= f(T
c
)
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
150
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
W
140
BTS 141
P
tot
On-state resistance
R
ON
= f(T
j
);
I
D
= 12A; V
IN
=5V
-50
-25
0
25
50
75
100
°C
150
T
j
0
10
20
30
40
50
70
R
DS(on)
typ.
max.
Typ. input threshold voltage
V
IN(th)
= f(T
j
);
I
D
=2,7A; V
DS
=12V
-50
-25
0
25
50
75
100
°C
150
T
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
2.0
V
IN(th)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67060-S6503-A2 | Smart Lowside Power Switch |
| Q67060-S6503-A3 | Smart Lowside Power Switch |
| Q67060-S6504-A5 | HITFET II.Generation BTS 134 D |
| Q67060-S6700-A4 | Smart Lowside Power Switch |
| Q67060-S6700-A2 | Smart Lowside Power Switch |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67060-S6503-A2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Smart Lowside Power Switch |
| Q67060-S6503-A3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Smart Lowside Power Switch |
| Q67060-S6504-A5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:HITFET II.Generation BTS 134 D |
| Q67060-S6700-A2 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Smart Lowside Power Switch |
| Q67060-S6700-A3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Smart Lowside Power Switch |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。