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參數(shù)資料
| 型號： | Q67040S4182 |
| 英文描述： | TRANSISTOR MOSFET |
| 中文描述： | 晶體管MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 131K |
| 代理商： | Q67040S4182 |
SPD 28N05L
Data Sheet
8
06.99
Typ. gate charge
VGS = f (QGate)
parameter:
ID puls = 28 A
0
10
20
30
40
nC
55
QGate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPD28N05L
V
GS
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
Avalanche Energy
EAS = f (Tj)
parameter:
ID = 28 A, VDD = 25 V
RGS = 25
20
40
60
80
100
120
140
C
180
Tj
0
50
mJ
150
E
AS
Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS = f (Tj)
-60
-20
20
60
100
140
C
200
Tj
50
52
54
56
58
60
62
64
V
66
SPD28N05L
V
(BR)DSS
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