參數(shù)資料
型號(hào)： PZTA64
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP Silicon Darlington Transistors
中文描述： Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 170K
代理商： PZTA64
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC = 100
μ
Adc, VBE = 0)
V(BR)CES
30
—
Vdc
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC = 100
μ
A, IE = 0)
V(BR)CBO
30
—
Vdc
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IE = 100
μ
A, IC = 0)
V(BR)EBO
10
—
Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
(VBE = 10 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
0.1
μ
Adc
Collector-Base Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
ON CHARACTERISTICS(2)
ICBO
—
0.1
μ
Adc
DC Current Gain
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 100 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
hFE
10,000
20,000
—
—
—
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC = 100 mAdc, IB = 0.1 mAdc)
VCE(sat)
—
1.5
Vdc
Base-Emitter On-Voltage
(VCE = 5.0 Vdc, IC = 100 mAdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
VBE(on)
—
2.0
Vdc
Current-Gain — Bandwidth Product
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
2. Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%.
fT
125
—
MHz
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PDF描述
PZTA64 PNP Darlington Transistor
PZTA92T1 PNP SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT
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