型號(hào): | PZT2907AT3 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-261AA |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 60V的五(巴西)總裁| 600毫安一(c)|至261AA |
文件頁(yè)數(shù): | 3/8頁(yè) |
文件大?。?/td> | 58K |
代理商: | PZT2907AT3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
PZT3904 | NPN Switching Double Transistors |
PZT3906 | PNP switching transistor |
PZT751T3 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-261AA |
PZTA05 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-223 |
PZTA42 | NPN High Voltage Amplifier(NPN高電壓放大器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
PZT2907AT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
PZT3019 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Epitaxial Planar Transistor |
PZT358 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Silicon Planar High Current Transistor |
PZT359 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:High Current Transistor |
PZT3904 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |