- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378086 > PTB20191 (ERICSSON) 12 Watts, 1.78-1.92 GHz RF Power Transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | PTB20191 |
| 廠商： | ERICSSON |
| 英文描述： | 12 Watts, 1.78-1.92 GHz RF Power Transistor |
| 中文描述： | 12瓦，1.78-1.92 GHz射頻功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 424K |
| 代理商： | PTB20191 |
e
1
Typical Output Power vs. Input Power
0
5
10
15
20
25
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Input Power (Watts)
O
V
CC
= 26 V
I
CQ
= 100 mA
f = 1.9 GHz
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
20
Vdc
Collector-Base Voltage (emitter open)
V
CBO
50
Vdc
Emitter-Base Voltage (collector open)
V
EBO
4.0
Vdc
Collector Current (continuous)
I
C
2.8
Adc
Total Device Dissipation at Tflange = 25°C
Above 25°C derate by
P
D
60
0.34
Watts
W/°C
Storage Temperature Range
T
STG
–40 to +150
°C
Thermal Resistance (Tflange = 70°C)
R
θ
JC
2.90
°C/W
PTB 20191
12 Watts, 1.78–1.92 GHz
RF Power Transistor
Description
The 20191 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor
intended for 26 Vdc operation from 1.78 to 1.92 GHz. It is rated at 12
watts (CW) minimum output power, or 15 watts (PEP) output power.
Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization
are used to ensure excellent device reliability. 100% lot traceability is
standard.
Class AB Characteristics
26 Volt, 1.9 GHz Characterization
- Output Power = 12 W(CW), 15 W(PEP)
Internal Input Matching
Gold Metallization
Silicon Nitride Passivated
Package 20226
20191
LOTCODE
9/28/98
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PTB20193 | 60 Watts, 1.8-1.9 GHz Cellular Radio RF Power Transistor |
| PTB20195 | 150 Watts, 860-900 MHz Cellular Radio RF Power Transistor |
| PTB20135 | 85 Watts, 925-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor |
| PTB20204 | 1.0 Watt, 380-500 MHz RF Power Transistor |
| PTB20206 | 1.0 Watt, 470-860 MHz RF Power Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PTB20193 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| PTB20195 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| PTB20203 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| PTB20204 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| PTB20206 | 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。