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參數(shù)資料
| 型號： | PSD835G2-A-70B81I |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers |
| 中文描述： | 在8片位微控制器可配置存儲系統(tǒng) |
| 文件頁數(shù)： | 75/110頁 |
| 文件大?。?/td> | 570K |
| 代理商： | PSD835G2-A-70B81I |
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PSD8XX Family
PSD835G2
74
AC/DC
Parameters
The following tables describe the AD/DC parameters of the PSD8XX family:
J
DC Electrical Specification
J
AC Timing Specification
PLD Timing
–
Combinatorial Timing
–
Synchronous Clock Mode
–
Asynchronous Clock Mode
–
Input Micro
Cell Timing
Microcontroller Timing
–
Read Timing
–
Write Timing
–
Peripheral Mode Timing
–
Power Down and Reset Timing
Following are issues concerning the parameters presented:
J
In the DC specification the supply current is given for different modes of operation.
Before calculating the total power consumption, determine the percentage of time that
the PSD8XX is in each mode. Also, the supply power is considerably different if the
Turbo bit is "OFF".
J
The AC power component gives the PLD, Flash memory, and SRAM mA/MHz
specification. Figures 32 and 32a show the PLD mA/MHz as a function of the number
of Product Terms (PT) used.
J
In the PLD timing parameters, add the required delay when Turbo bit is "OFF".
Figure 32. PLD ICC/FrequencyConsumption
(VCC= 5 V ± 10%)
0
10
20
30
40
60
70
80
90
100
110
V
CC
= 5V
50
0
10
15
5
20
25
HIGHEST COMPOSITE FREQUENCY AT PLD INPUTS (MHz)
I
C
TURBO ON (100%)
TURBO ON (25%)
TURBOOFF
TURBO OFF
PT 100%
PT 25%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PSD835G2-A-70J | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers |
| PSD835G2-A-70JI | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers |
| PSD835G2-A-70M | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers |
| PSD835G2-A-70MI | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers |
| PSD835G2-A-70U | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PSD835G2V-12UI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| PSD835G2V-90U | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| PSD853F2-70J | 功能描述:SPLD - 簡單可編程邏輯器件 5.0V 1M 70ns RoHS:否 制造商:Texas Instruments 邏輯系列:TICPAL22V10Z 大電池數(shù)量:10 最大工作頻率:66 MHz 延遲時間:25 ns 工作電源電壓:4.75 V to 5.25 V 電源電流:100 uA 最大工作溫度:+ 75 C 最小工作溫度:0 C 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:DIP-24 |
| PSD853F2-70M | 功能描述:CPLD - 復雜可編程邏輯器件 5.0V 1M 70ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數(shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 |
| PSD853F2-90J | 功能描述:CPLD - 復雜可編程邏輯器件 5.0V 1M 90ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存儲類型:EEPROM 大電池數(shù)量:128 最大工作頻率:333 MHz 延遲時間:2.7 ns 可編程輸入/輸出端數(shù)量:64 工作電源電壓:3.3 V 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:TQFP-100 |
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