一、功能特點(diǎn)
?? 集成 650v 高壓POWERMOS 器件
?? 用戶定義軟起動(dòng),減輕啟動(dòng)沖擊
?? 工作電流可通過外部
電阻調(diào)整
?? 輸入欠壓保護(hù)
?? 內(nèi)置過熱保護(hù)
?? 內(nèi)置過載保護(hù)和開環(huán)保護(hù)
?? 自動(dòng)重啟,自動(dòng)重起期間可過壓保護(hù)
?? 頻率修調(diào),以降低EMI
?? 100KHz
開關(guān)頻率,最大占空比72%
?? 低功耗待機(jī)模式,以滿足歐盟要求
?? 應(yīng)用電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單
?? 輸出電流容差<±5%
?? DIP8 封裝,滿足RoHS 環(huán)保要求
二、特性描述
芯片內(nèi)部集成耐高壓POWERMOS,以滿足低功耗的要求。待機(jī)模式下,通過降低工
作頻率來降低功耗同時(shí)輸出穩(wěn)定的工作電壓。頻率降低限制在20KHz/21.5KHz 以下以避
免產(chǎn)生音頻噪聲。在諸如開環(huán)、過壓或由短路引起的過載等失效模式下,芯片通過內(nèi)部
的保護(hù)電路來使得芯片切換到重啟動(dòng)模式。通過內(nèi)部精密電流峰值控制,
變壓器的尺寸
和次級(jí)
二極管的可以變得更小,從而來降低整個(gè)系統(tǒng)的成本。