單
二極管配置:MA4AGBLP912是鋁鎵砷化陽(yáng)極增強(qiáng),梁式引線PIN二極管。砷化鋁鎵陽(yáng)極,它采用M / A-COM公司正在申請(qǐng)專利的異質(zhì)結(jié)技術(shù),產(chǎn)生更少的二極管導(dǎo)通
電阻比傳統(tǒng)的GaAs器件。這些器件制造使用專為高裝置均勻性和極低的寄生過(guò)程O(píng)MCVD外延晶片上。該二極管具有低串聯(lián)電阻,4Ω,低
電容,28fF,并為5ns的極快的
開(kāi)關(guān)速度。它們被充分鈍化的硅氮化物和有劃傷保護(hù)的聚合物的附加層。該保護(hù)涂層防止損壞連接處和搬運(yùn)和組裝過(guò)程中,陽(yáng)極的空氣橋。該MA4AGBLP912設(shè)備的超低電容,非常適合通過(guò)W波段的使用。低RC產(chǎn)品beamlead PIN二極管和低姿態(tài)允許在微波和毫米波開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì),在低插入損耗和高隔離度要求使用。的+10毫安為低損耗狀態(tài),和0V,為隔離狀態(tài)下的操作的偏置條件允許使用一種簡(jiǎn)單的+ 5V TTL門(mén)驅(qū)動(dòng)的。這些砷化鋁鎵,beamlead二極管,可在雷達(dá)系統(tǒng),高速ECM的電路,光交換網(wǎng)絡(luò),
儀器儀表等寬帶多擲開(kāi)關(guān)組件開(kāi)關(guān)陣列使用。