供應(yīng)PN8126 PN8126F供應(yīng)CHIPOWN/芯朋微電源管理芯片實(shí)圖全新原裝有現(xiàn)貨

PN8126F是一顆超低待機(jī)功耗高效率交直流轉(zhuǎn)換芯片

PN8126F芯片內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，適用于小功率非隔離開關(guān)電源。該芯片提供了完整的智能化保護(hù)功能，包括過流保護(hù)，過壓保護(hù)，欠壓保護(hù)，過溫保護(hù)；降頻調(diào)制技術(shù)有助于改善EMI特性。該芯片還內(nèi)置高壓啟動模塊，保證系統(tǒng)能迅速啟動。應(yīng)用系統(tǒng)的外圍元件更加簡潔。

PN8126特征 ：
優(yōu)化適用于18V輸出非隔離應(yīng)用
滿足85~265V寬AC輸入工作電壓
改善EMI的降頻調(diào)制技術(shù)
內(nèi)置高壓啟動電路
開放式輸出功率 >8W @230VAC
優(yōu)異的負(fù)載調(diào)整率和工作效率

全面的保護(hù)功能
過流保護(hù)（OCP）
過溫保護(hù)（OTP）
過壓保護(hù)（OVP）

PN8126功能描述：

1. 啟動
在啟動階段，內(nèi)部高壓啟動管提供1.2mA電流對外部VDD電容進(jìn)行充電。當(dāng)VDD電壓達(dá)到12.5V，芯片開始工作；高壓啟動管停止對VDD電容充電。啟動過程結(jié)束后，變壓器輔助繞組對VDD電容提供能量。
2. 輸出驅(qū)動
PN8126F采用特有的驅(qū)動技術(shù)。驅(qū)動能力太弱會使得較高的開關(guān)損耗，驅(qū)動太強(qiáng)則容易出現(xiàn)EMI問題。PN8126F采用優(yōu)化的圖騰柱結(jié)構(gòu)，通過合理的輸出驅(qū)動能力以及死區(qū)時(shí)間，得到較好的EMI特性和較低的損耗。
3. 振蕩器
PN8126F的最大振蕩頻率為60 kHz，無需外圍電路進(jìn)行設(shè)置。它含有特有的頻率抖動技術(shù)，可以改善EMI特性。
4. 內(nèi)置誤差放大器
PN8126F片內(nèi)誤差放大器可實(shí)現(xiàn)輸出電壓調(diào)制。通過內(nèi)部電阻分壓器，利用誤差放大器檢測VDD電位可實(shí)現(xiàn)輸出電壓調(diào)制。
5. PFM工作模式
PN8126F工作在PFM模式以減小輕載功耗。當(dāng)負(fù)載減輕，頻率降低，較低的開關(guān)頻率有利于降低開關(guān)損耗。
6. 輸出恒壓調(diào)制
PN8126F提供負(fù)載補(bǔ)償功能，可實(shí)現(xiàn)良好的負(fù)載調(diào)制。
7. 過溫保護(hù)
功率MOSFET和控制芯片集成在一起，使得控制電路更易于檢測MOSFET的溫度。當(dāng)溫度超過160℃，芯片進(jìn)入過溫保護(hù)狀態(tài)。

公司簡介：

深圳市博森偉業(yè)電子

是一家專業(yè)的.net.cn/pro/index478.html" title=".net.cn/pro/index478.html" title="電子元器件" target="_blank" style="color: rgb(68, 68, 68);">電子元器件" target="_blank" style="line-height: 19px; font-size: 18px; font-family: tahoma, arial, 宋體, sans-serif;">電子元器件經(jīng)銷商，品種主要以民用級和工業(yè)級為主。公司自成立以來，一貫以服務(wù)誠懇、薄利多銷為經(jīng)營理念，憑著優(yōu)良的品質(zhì)、實(shí)惠的價(jià)格、周到的服務(wù)，在行業(yè)中樹立了良好的口碑。      

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