供應(yīng)FT838D 充電器

型號(hào)：FT838D  

封裝：SOT23-5

批號(hào)：2014+

FT838D：

1、滿足能源之星2.0和5級(jí)能效；

2、批量輸出電壓精度電流精度正負(fù)5%以內(nèi)；

3、保護(hù)功能齊全，可靠性好；

4、滿足EN55022 ClassB EMI要求；

基本參數(shù)：

輸入電壓范圍： 90~264V

輸出電壓/電流： 5V/2.1A

尺寸： 43*40mm

典型效率： 74%

EMI： pass

空載待機(jī)功耗： <150mW

最大輸出紋波： <200mVp-p

產(chǎn)品優(yōu)勢

1、滿足能源之星2.0和5級(jí)能效；

2、批量輸出電壓精度電流精度±5%

以內(nèi)；

3、保護(hù)功能齊全，可靠性好；

4、滿足EN55022 ClassB EMI要求；

特點(diǎn)

無需光耦及TL431反饋
節(jié)能模式：脈沖頻率調(diào)制控制模式(PFM)
內(nèi)置抖頻功能來改善 EMI性能
每一個(gè)開關(guān)周期的電流限制
VCC過壓保護(hù)(OVP)
欠壓鎖定(UVLO)
輸出短路保護(hù)
內(nèi)置輸出線損補(bǔ)償
輸入線電壓補(bǔ)償以提高輸出電流精度

芯片版本與管腳定義

表1：FT838D/FT838R 芯片功能

芯片本版 線損補(bǔ)償比例
FT838D0 0%
FT838D1 3%
FT838D2 6%
FT838D3 9%
FT838R N/A
FT838D內(nèi)置輸出線損補(bǔ)償，用戶可根據(jù)實(shí)際輸出導(dǎo)線情況選擇合適的芯片版本。FT838R主要應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，故無線損補(bǔ)償。

管腳號(hào) 管腳名稱 I/O 注解
1 FB I 輸出電壓反饋端
2 GND I 芯片的大地
3 CS I 初級(jí)電流檢測端
4 OUT O NPN開關(guān)管的基極驅(qū)動(dòng)端
5 VCC I 供電端

內(nèi)部工作框圖

恒壓控制
原邊反饋的控制方法可以在無需副邊電壓與電流檢測的情況下實(shí)現(xiàn)精確的恒壓/恒流控制。圖 2是典型應(yīng)用線路。圖3是芯片內(nèi)部框圖，圖4是一些主要的波。副邊輸出狀態(tài)是在功率三極管關(guān)斷時(shí)從原邊的輔助繞組得到的。使用獨(dú)特的采樣方法來檢測輸出繞組電壓(Vs)和副邊二極管的放電時(shí)間(Tdis)。 采樣后的電壓與內(nèi)部精準(zhǔn)的參考電壓(VFB)比較后再通過調(diào)制誤差放大器的輸出來確定開關(guān)管的關(guān)斷時(shí)間。從而實(shí)現(xiàn)了精確的輸出電壓調(diào)節(jié)。

恒流控制
圖4所示，輸出電流Io在斷續(xù)模式(DCM)的反激拓?fù)渲锌梢酝ㄟ^方程(1) 來表達(dá)。

降頻工作模式
原邊反饋控制芯片在恒壓工作模式下時(shí)，工作頻率隨著負(fù)載電流的減小而減小，負(fù)載電流減小到零時(shí)，頻率降到最低。有了這種控制模式，電源控制芯片能輕松滿足最嚴(yán)格的功率轉(zhuǎn)換效率的要求。同時(shí)為了改善輸出瞬態(tài)相應(yīng)特性，在頻率隨負(fù)載電流減小的同時(shí)降低原邊峰值電流，避免空載時(shí)輸出頻率過低，達(dá)到提高輸出瞬態(tài)相應(yīng)速度的目的。

頻率抖動(dòng)
這款原邊反饋控制芯片集成了內(nèi)部的抖頻功能來改善 EMI的性能。

輸出電壓電流特性
電池充電器一般會(huì)設(shè)計(jì)兩種工作模式，恒壓充電與恒流充電。圖5所示為充電器基本的充電特性。當(dāng)電池電壓很低時(shí)，充電器工作在恒流充電狀態(tài)。這是電流充電的主要方式。當(dāng)電池電壓達(dá)到它的最終電壓時(shí)，電流便逐漸停止。充電器便進(jìn)入恒壓充電模式。最終，充電電流逐漸減小直到零。

啟動(dòng)電路

當(dāng)電源啟動(dòng)時(shí)，如圖6所示，輸入電壓Vbus通過啟動(dòng)電阻R1對(duì)電容C1進(jìn)行充電。當(dāng)電容的電壓(VCC)達(dá)到芯片啟動(dòng)電壓(VCC-ON)時(shí)，原邊反饋控制芯片開始啟動(dòng)。

VCC欠壓鎖定

這款原邊反饋控制芯片的開啟和關(guān)斷門檻固定在17.67V和6.6V。在啟動(dòng)時(shí)，VCC電容必須通過啟動(dòng)電阻R1充電至17.6V從而來啟動(dòng)控制芯片。在能量不能從輔助繞組中得到時(shí)，VCC電容將一直對(duì)控制芯片供電，直到輔助繞組開始對(duì)VCC供應(yīng)大于6.6 V的電壓。如果VCC電壓低于6.6V，芯片將進(jìn)入VCC欠壓鎖定狀態(tài)，關(guān)閉芯片內(nèi)部的一些電路，此時(shí)，Vbus通過R1給電容C1充電，直到VCC電壓達(dá)到17.6 V，芯片再次啟動(dòng)，打開所有的內(nèi)部電路。這個(gè)欠壓鎖定的滯環(huán)將保證在啟動(dòng)時(shí)VCC電容足夠?qū)刂菩酒╇姟?/span>
輸入欠壓保護(hù)
這款原邊反饋控制芯片有一個(gè)內(nèi)置的輸入欠壓保護(hù)功能。如圖9所示,當(dāng)功率三極管Q1導(dǎo)通時(shí)

輸出線損補(bǔ)償
控制芯片內(nèi)置一個(gè)線端補(bǔ)償功能來補(bǔ)償輸出導(dǎo)線的電壓損失。不同的輸出線規(guī)格和長度將會(huì)導(dǎo)致不同的線端輸出電壓。

LEB時(shí)間
每一次功率三極管Q1開通時(shí)，由吸收二極管D5的反向恢復(fù)和功率三極管Q1的寄生電容以及變壓器原邊繞組的匝間分布電容所產(chǎn)生的尖峰將會(huì)反映在CS的檢測信號(hào)上。為了防止功率三極管Q1的誤動(dòng)作，這款原邊反饋控制芯片的檢測將會(huì)在上升沿有一段時(shí)間空白（LEB）。在這一空白的時(shí)間內(nèi)，芯片關(guān)斷輸出。這款芯片的LEB時(shí)間約為400ns。