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ULN2003APG
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PNP型
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供應ULN2003APG 晶體管
晶體管類型:7 NPN
達林頓電流 - 集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值)50V
不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值)1.6V @ 500μA,350mA
電流 - 集電極截止(最大值)50μA
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)1000 @ 350mA,2V
功率 - 最大值1.47W
工作溫度-40°C ~ 85°C(TA)
封裝/外殼16-DIP(0.300",7.62mm)
封裝16-DIP
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
定義
嚴格意義上講,晶體管泛指一切以半導體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)。晶體管有三個極;雙極性晶體管的三個極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);
場效應晶體管的三個極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。晶體管因為有三種極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器),。
簡述
晶體管是一種半導體器件,放大器或電控開關(guān)常用。晶體管是規(guī)范操作電腦,手機,和所有其英特爾3D晶體管技術(shù)(16張) 他現(xiàn)代電子電路的基本構(gòu)建塊。
由于其響應速度快,準確性高,晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能,包括放大,開關(guān),穩(wěn)壓,信號調(diào)制和振蕩器。晶體管可獨立包裝或在一個非常小的的區(qū)域,可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。
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