參數(shù)資料
型號: PNA1605F(PN116)
英文描述: PNA1605F (PN116) - Silicon NPN Phototransistor
中文描述: PNA1605F(PN116) -硅npn型光電晶體管
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大小: 45K
代理商: PNA1605F(PN116)
2
Phototransistors
PNA1601
t
r
— I
CE(L)
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
R
r
μ
s
V
= 10V
Ta = 25C
10
3
10
2
10
1
10
–1
10
–1
10
10
2
1
10
–2
10
–2
t
f
— I
CE(L)
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
F
f
μ
s
V
= 10V
Ta = 25C
10
3
10
2
10
1
10
–1
10
–1
10
10
2
1
10
–2
10
–2
R
L
= 1k
500
100
R
L
= 1k
500
100
Spectral sensitivity characteristics
100
80
60
40
20
Wavelength
λ
(nm)
R
700
800
900
1000
1100
1200
0
600
V
= 10V
Ta = 25C
V
= 10V
T = 2856K
I
CE(L)
— Ta
10
10
–1
1
Ambient temperature Ta (C )
C
C
– 40
0
40
80
120
10
–2
I
CEO
— Ta
10
10
–1
10
–2
1
Ambient temperature Ta (C )
V
CE
= 10V
D
C
10
–3
– 40
0
40
80
120
P
C
— Ta
60
50
40
30
20
10
Ambient temperature Ta (C )
C
C
0
20
40
60
80
100
0
– 20
Ta = 25C
T = 2856K
I
CE(L)
— V
CE
2.0
1.6
1.2
0.4
0.8
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
20
16
8
12
4
24
I
CE(L)
— L
10
1
10
–1
Illuminance L (lx)
C
C
10
10
2
10
3
10
–3
10
–2
1
V
= 10V
Ta = 25C
T = 2856K
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Directivity characteristics
20
90
100
80
70
60
50
40
30
R
500 lx
L = 1000 lx
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PNA1801 PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 20M | DOME-3.0
PNA1801L(PN168) PNA1801L (PN168) - Silicon NPN Phototransistor
PNA2601M PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 850NM PEAK WAVELENGTH | 30M | LED-7B
PNA2602(PN205) PNA2602 (PN205) - Darlington Phototransistor
PNA2603 PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 800NM PEAK WAVELENGTH | 30M | LED-7B
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PNA1608L 功能描述:NPN PHOTOTRANS 800NM SIDE VIEW RoHS:否 類別:傳感器,轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測器 - 光電晶體管 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1mA 電流 - 暗 (Id)(最大):100nA 波長:880nm 視角:24° 功率 - 最大:100mW 安裝類型:通孔 方向:頂視圖 封裝/外殼:徑向
PNA1801 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 20M | DOME-3.0
PNA1801L 功能描述:NPN PHOTO TRANSISTOR RoHS:否 類別:傳感器,轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測器 - 光電晶體管 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1mA 電流 - 暗 (Id)(最大):100nA 波長:880nm 視角:24° 功率 - 最大:100mW 安裝類型:通孔 方向:頂視圖 封裝/外殼:徑向
PNA1801L(PN168) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PNA1801L (PN168) - Silicon NPN Phototransistor
PNA1801L00NC 功能描述:NPN PHOTOTRANS 850NM T1 RoHS:是 類別:傳感器,轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測器 - 光電晶體管 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1mA 電流 - 暗 (Id)(最大):100nA 波長:880nm 視角:24° 功率 - 最大:100mW 安裝類型:通孔 方向:頂視圖 封裝/外殼:徑向