參數(shù)資料
型號： PNA1401L
英文描述： PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-5.8
中文描述： 光電晶體管|叩| 800NM峰值波長|五十米|的CAN - 5.8
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： PNA1401L
2
PNA1401
Phototransistors
I
CE(L)
— V
CE
20
16
12
4
8
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Ta = 25C
C
C
0
20
10
30
I
CE(L)
— L
10
2
10
1
10
–1
Illuminance L (lx)
C
C
10
10
2
10
3
10
–2
1
V
= 10V
Ta = 25C
I
CEO
— Ta
10
3
10
1
10
2
Ambient temperature Ta (C )
V
CE
= 10V
D
C
10
–1
– 40
0
40
80
120
I
CE(L)
— Ta
10
2
10
Ambient temperature Ta (C )
V
= 10V
T = 2856K
C
C
1
0
40
80
120
Spectral sensitivity characteristics
100
80
60
40
20
Wavelength
λ
(nm)
R
400
600
800
1000
1200
0
200
Ta = 25C
Directivity characteristics
100
80
60
40
20
030
20
10
0
10
20
30
Angle
θ
(deg.)
R
t
r
— I
CE(L)
10
3
10
2
10
1
Collector photo current I
CE(L)
(mA)
R
r
μ
s
1
10
10
2
10
–1
10
–1
V
= 10V
Ta = 25C
P
C
— Ta
200
160
120
80
40
Ambient temperature Ta (C )
C
C
0
20
40
60
80
100
0
– 20
P
C
= 150mW
L = 50 lx
100 lx
150 lx
200 lx
300 lx
400 lx
500 lx
1000 lx
L = 500 lx
200 lx
100 lx
R
L
= 1k
500
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PNA1401L(PN101) PNA1401L (PN101) - Silicon NPN Phototransistor
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PNA1601M(PN166) PNA1601M (PN166) - Silicon NPN Phototransistor
PNA1605 PHOTOTRANSISTOR | NPN | 900NM PEAK WAVELENGTH | 10M | LED-7A
PNA1605F(PN116) PNA1605F (PN116) - Silicon NPN Phototransistor
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