參數(shù)資料
型號(hào)： PN3566
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Small Signal Transistors
中文描述： 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 26K
代理商： PN3566
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, October 2004
P
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
T
J,
T
STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Off Characteristics
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage *
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
On Characteristics
h
FE
DC Current Gain
* Pulse Test: Pulse Width
≤
300ms, Duty Cycle
≤
2.0%
Thermal Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JC
Thermal Resistance, Junction to Case
Parameter
Value
30
40
5
600
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
°
C
- Continuous
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
I
C
= 30mA, I
B
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 20V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
30
40
5
V
V
V
nA
μ
A
50
10
V
CE
= 10V, I
C
= 2.0mA
V
CE
= 10V, I
C
= 10mA
I
C
= 100mA, I
B
= 10mA
V
CE
= 1V, I
C
= 100mA
80
150
600
1.0
0.9
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
Small Signal Characteristics
C
obo
Output Capacitance
Collector-Emitter Saturation Voltage *
Base-Emitter On Voltage
V
V
V
CB
= 10V, I
E
= 0
25
pF
Parameter
Max.
625
5
83.3
200
Units
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
PN3566
NPN General Purpose Amplifier
This device is for use as a medium amplifier and switch requiring
collector currents up 300mA.
Sourced from process 19.
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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PDF描述
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參數(shù)描述
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