參數(shù)資料
型號(hào): PN2907A
廠商: HSMC CORP.
英文描述: PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
中文描述: 進(jìn)步黨外延平面晶體管
文件頁(yè)數(shù): 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 119K
代理商: PN2907A
PN2907A
http://onsemi.com
3
0
0
-16 V
200 ns
50
1.0 k
200
-30 V
TO OSCILLOSCOPE
RISE TIME
5.0 ns
+15 V
-6.0 V
1.0 k
37
50
1N916
1.0 k
200 ns
-30 V
TO OSCILLOSCOPE
RISE TIME
5.0 ns
INPUT
Z
o
= 50
PRF = 150 PPS
RISE TIME
2.0 ns
P.W. < 200 ns
INPUT
Z
o
= 50
PRF = 150 PPS
RISE TIME
2.0 ns
P.W. < 200 ns
Figure 1. Delay and Rise Time Test Circuit
Figure 2. Storage and Fall Time Test Circuit
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PN2907A BULK 制造商:MCC 功能描述:General Purpose PNP Through Hole Transistor TO-92
PN2907A T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP SW 600MA 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN2907A,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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