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參數(shù)資料
| 型號： | PMWD30UN |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual uTrenchMOS ultra low level FET |
| 中文描述： | 5000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153AB |
| 封裝： | PLASTIC, MO-153, TSSOP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大小： | 242K |
| 代理商： | PMWD30UN |
Philips Semiconductors
PMWD30UN
Dual
μ
TrenchMOS ultra low level FET
Product data
Rev. 01 — 22 January 2003
8 of 12
9397 750 10835
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
I
D
= 5 A; V
DD
= 16 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate charge; typical values.
003aaa281
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
QG (nC)
VGS
(V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PN100A | NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器) |
| PN100 | NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器) |
| PN200 | PNP General Purpose Amplifier(PNP通用放大器) |
| PN2222A | NPN General Purpose Amplifier |
| PN2222A | NPN switching transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PMWD30UN,518 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PMWD30UN | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8 |
| PMWS-2T | 制造商:ALLSTATES 功能描述: 制造商:All-States Inc 功能描述: |
| PM-WT01 | 制造商:PMI 制造商全稱:PMI 功能描述:WIDEBAND RF PULSE COUPLING TRANSFORMERS |
| PM-WT02 | 制造商:PMI 制造商全稱:PMI 功能描述:WIDEBAND RF PULSE COUPLING TRANSFORMERS |
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