參數(shù)資料
型號(hào)： PMN40LN
元件分類： 電流感應(yīng)放大器
英文描述： High Voltage, High-Side Current Sense Amplifier in SOT-23; Package: SOT; No of Pins: 5; Temperature Range: 0°C to +70°C
中文描述： 高壓大電流SOT-23封裝檢測(cè)放大器，封裝類型：SOT；引腳數(shù)量：5；工作溫度：0℃_70℃
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大小： 262K
代理商： PMN40LN
Philips Semiconductors
PMN40LN
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 13 November 2002
5 of 12
9397 750 10192
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
8.
Characteristics
Table 5:
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Static characteristics
V
(BR)DSS
drain-source breakdown voltage
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
D
= 0.25 mA; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°
C
T
j
=
55
°
C
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
;
Figure 9
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
T
j
=
55
°
C
V
DS
= 24 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
V
GS
=
±
15 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 4.5 V; I
D
= 2 A;
Figure 7
and
8
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
V
GS
= 10 V; I
D
= 2.5 A;
Figure 7
T
j
= 25
°
C
30
27
-
-
-
-
V
V
V
GS(th)
gate-source threshold voltage
1
0.6
-
1.5
-
-
2
-
2.2
V
V
V
I
DSS
drain-source leakage current
-
-
-
0.05
-
10
1
500
100
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
R
DSon
gate-source leakage current
drain-source on-state resistance
-
-
40
64
45
72
m
m
-
32
38
m
Dynamic characteristics
Q
g(tot)
total gate charge
Q
gs
gate-source charge
Q
gd
gate-drain (Miller) charge
C
iss
input capacitance
C
oss
output capacitance
C
rss
reverse transfer capacitance
t
d(on)
turn-on delay time
t
r
rise time
t
d(off)
turn-off delay time
t
f
fall time
Source-drain diode
V
SD
source-drain (diode forward) voltage I
S
= 1.7 A; V
GS
= 0 V;
Figure 12
I
D
= 5 A; V
DD
= 15 V; V
GS
= 10 V;
Figure 13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13.8
1.8
2.4
555
105
70
5
7
19
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V; f = 1 MHz;
Figure 11
V
DD
= 15 V; R
L
= 12
;
V
GS
= 10 V; R
G
= 6
-
0.8
1.2
V
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