參數(shù)資料
型號： PMN40LN
元件分類： 電流感應(yīng)放大器
英文描述： High Voltage, High-Side Current Sense Amplifier in SOT-23; Package: SOT; No of Pins: 5; Temperature Range: 0°C to +70°C
中文描述： 高壓大電流SOT-23封裝檢測放大器，封裝類型：SOT；引腳數(shù)量：5；工作溫度：0℃_70℃
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 262K
代理商： PMN40LN
Philips Semiconductors
PMN40LN
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 13 November 2002
2 of 12
9397 750 10192
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
5.
Quick reference data
6.
Limiting values
Table 2:
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
I
D
drain current (DC)
P
tot
total power dissipation
T
j
junction temperature
R
DSon
drain-source on-state resistance
Quick reference data
Conditions
25
°
C
≤
T
j
≤
150
°
C
T
sp
= 25
°
C; V
GS
= 10 V
T
sp
= 25
°
C
Typ
-
-
-
-
32
40
Max
30
5.4
1.75
150
38
45
Unit
V
A
W
°
C
m
m
V
GS
= 10 V; I
D
= 2.5 A; T
j
= 25
°
C
V
GS
= 4.5 V; I
D
= 2 A; T
j
= 25
°
C
Table 3:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
DGR
drain-gate voltage (DC)
V
GS
gate-source voltage (DC)
I
D
drain current (DC)
Limiting values
Conditions
25
°
C
≤
T
j
≤
150
°
C
25
°
C
≤
T
j
≤
150
°
C; R
GS
= 20 k
Min
-
-
-
-
-
-
-
55
55
Max
30
30
±
15
5.4
4
21.6
1.75
+150
+150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
T
sp
= 25
°
C; V
GS
= 10 V;
Figure 2
and
3
T
sp
= 70
°
C; V
GS
= 10 V;
Figure 2
T
sp
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s;
Figure 3
T
sp
= 25
°
C;
Figure 1
I
DM
P
tot
T
stg
T
j
Source-drain diode
I
S
source (diode forward) current (DC)
I
SM
peak source (diode forward) current T
sp
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s
peak drain current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
T
sp
= 25
°
C
-
-
1.45
5.8
A
A
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PDF描述
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