參數(shù)資料
型號： PMEM4020PD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP transistor/Schottky-diode module
中文描述： 1300 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SMD, SC-74, 6 PIN
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： PMEM4020PD
2003 Nov 24
5
Philips Semiconductors
Product specification
PNP transistor/Schottky-diode module
PMEM4020PD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
PNP transistor
I
CBO
collector-base cut-off current
V
CB
=
40 V; I
E
= 0
V
CB
=
40 V; I
E
= 0; T
amb
= 150
°
C
V
CE
=
30 V; I
B
= 0
V
EB
=
5 V; I
C
= 0
V
CE
=
5 V; I
C
=
1 mA
V
CE
=
5 V; I
C
=
100 mA
V
CE
=
5 V; I
C
=
500 mA
V
CE
=
5 V; I
C
=
1 A
V
CE
=
5 V; I
C
=
2 A; note 1
180
100
50
100
100
800
120
145
260
530
1.1
280
1
nA
μ
A
nA
nA
I
CEO
I
EBO
h
FE
collector-emitter cut-off current
emitter-base cut-off current
current gain (DC)
300
300
250
160
50
150
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage I
C
=
100 mA; I
B
=
1 mA
mV
mV
mV
mV
V
m
V
MHz
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA
I
C
=
1 A; I
B
=
100 mA
I
C
=
2 A; I
B
=
200 mA
I
C
=
1 A; I
B
=
50 mA
I
C
=
1 A; I
B
=
100 mA; note 1
V
CE
=
5 V; I
C
=
1 A
I
C
=
50 mA; V
CE
=
10 V;
f = 100 MHz
V
BEsat
R
CEsat
V
BEon
f
T
base-emitter saturation voltage
equivalent on-resistance
base-emitter turn-on voltage
transition frequency
Schottky barrier diode
V
F
continuous forward voltage
see Fig.2; note 1
I
F
= 10 mA
I
F
= 100 mA
I
F
= 1000 mA
see Fig.3; note 1
V
R
= 5 V
V
R
= 8 V
V
R
= 15 V
V
R
= 5 V; f = 1 MHz; see Fig.4
240
300
480
270
350
550
mV
mV
mV
I
R
reverse current
5
7
10
19
10
20
50
25
μ
A
μ
A
μ
A
pF
C
d
diode capacitance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PMEPGZ3230USERGUIDE PMEPGZ3230 User Guide
PMEPGUSERGUIDE PM EPG User Guide
PMF202 Low Power RS485 Interface Transceiver; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PMFA120T Quad Low Power RS485 Driver; Package: PDIP; No of Pins: 16; Temperature Range: -40°C to +85°C
PMFA160 Quad Low Power RS485 Driver; Package: PDIP; No of Pins: 16; Temperature Range: 0°C to +70°C
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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PMEM4020PD,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT DIODE/TRANS MODULE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PMEM4030NS T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT MEGA SCHOTTKY DIODES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PMEM4030NS,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT MEGA SCHOTTKY DIODES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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