參數(shù)資料
型號(hào)： PMEM4020PD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP transistor/Schottky-diode module
中文描述： 1300 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SMD, SC-74, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大小： 76K
代理商： PMEM4020PD
2003 Nov 24
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP transistor/Schottky-diode module
PMEM4020PD
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 60134).
Notes
1.
2.
Device mounted on a FR4 printed-circuit board; single-sided copper; tinplated; standard footprint for SOT457.
Device mounted on a FR4 printed-circuit board; single-sided copper; tinplated; mounting pads for collector and
cathode both 1 cm
2
.
Mounted on a ceramic printed-circuit board; single-sided copper; tinplated; standard footprint.
Solder point of collector or cathode tab.
3.
4.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
PNP transistor
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
open emitter
open base
open collector
note 1
note 2
note 3
T
s
≤
55
°
C; note 4
40
40
5
0.75
1
1.3
2
3
1
295
400
500
1000
150
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mW
mW
mW
mW
°
C
I
CM
I
BM
P
tot
peak collector current
peak base current
total power dissipation
T
amb
≤
25
°
C; note 1
T
amb
≤
25
°
C; note 2
T
amb
≤
25
°
C; note 3
T
s
≤
55
°
C; note 4
T
j
Schottky barrier diode
junction temperature
V
R
I
F
I
FSM
continuous reverse voltage
continuous forward current
non-repetitive peak forward current
20
1
5
V
A
A
t = 8.3 ms half sinewave; JEDEC
method
T
amb
≤
25
°
C; note 1
T
amb
≤
25
°
C; note 2
T
amb
≤
25
°
C; note 3
T
s
≤
55
°
C; note 4
note 2
P
tot
total power dissipation
295
400
500
1000
150
mW
mW
mW
mW
°
C
T
j
Combined device
junction temperature
P
tot
T
stg
T
amb
total power dissipation
storage temperature
operating ambient temperature
T
amb
= 25
°
C; note 2
65
65
600
+150
+150
mW
°
C
°
C
note 2
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PMEM4020PD,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT DIODE/TRANS MODULE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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