參數(shù)資料
型號(hào)： PMBT5088
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN general purpose transistor
中文描述： 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： PMBT5088
1999 Apr 15
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistor
PMBT5088
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
I
EBO
h
FE
collector cut-off current
emitter cut-off current
DC current gain
I
E
= 0; V
CB
= 20 V
I
C
= 0; V
EB
= 3 V
I
C
= 100
μ
A; V
CE
= 5 V
I
C
= 1 mA; V
CE
= 5 V
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V
I
C
= 10 mA; I
B
= 1 mA
300
350
300
50
50
900
500
nA
nA
V
CEsat
collector-emitter saturation
voltage
base-emitter saturation voltage
collector capacitance
emitter capacitance
noise figure
mV
V
BEsat
C
c
C
e
F
I
C
= 10 mA; I
B
= 1 mA
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 5 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 500 mV; f = 1 MHz
I
C
= 100
μ
A; V
CE
= 5 V; R
S
= 1 k
;
f = 10 Hz to 15.7 kHz
800
4
10
3
mV
pF
pF
dB
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PDF描述
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PMBT5401,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HV 300mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PMBT5401,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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