參數(shù)資料
型號: PMBT5088
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN general purpose transistor
中文描述: 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 42K
代理商: PMBT5088
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Jul 11
1999 Apr 15
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PMBT5088
NPN general purpose transistor
book, halfpage
M3D088
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PDF描述
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參數(shù)描述
PMBT5088T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23
PMBT5401 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-PNP,SI HI VLTG AMP
PMBT5401 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PMBT5401,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HV 300mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PMBT5401,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2