參數(shù)資料
型號(hào)： PMBD352
英文描述： Schottky Barrier Diodes
中文描述： 肖特基勢(shì)壘二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
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代理商： PMBD352
1996 Mar 20
3
Philips Semiconductors
Product specification
Schottky barrier double diodes
PMBD352; PMBD353
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulsed test: t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.02.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Refer to SOT23 standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
Per diode
V
F
forward voltage
see Fig.4
I
F
= 0.1 mA
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
V
R
= 3 V; note 1; see Fig.5
f = 1 MHz; V
R
= 0 V; see Fig.6
350
mV
450
mV
600
mV
μ
A
I
R
C
d
reverse current
0.25
diode capacitance
1
pF
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
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