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參數(shù)資料
| 型號： | pic16ce624 |
| 廠商： | Microchip Technology Inc. |
| 英文描述： | OTP 8-Bit CMOS MCU with EEPROM Data Memory(8位OTP CMOS微控制器) |
| 中文描述： | 檢察官辦公室8位CMOS微控制器EEPROM數(shù)據(jù)存儲器（8位檢察官辦公室的CMOS微控制器） |
| 文件頁數(shù)： | 58/108頁 |
| 文件大小： | 2355K |
| 代理商： | PIC16CE624 |
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PIC16CE62X
DS40182A-page 58
Preliminary
1998 Microchip Technology Inc.
FIGURE 10-12: EXTERNAL POWER-ON
RESET CIRCUIT (FOR SLOW
V
DD
POWER-UP)
Note 1: External power-on reset circuit is required
only if V
DD
power-up slope is too slow.
The diode D helps discharge the capaci-
tor quickly when V
DD
powers down.
2: < 40 k
is recommended to make sure
that voltage drop across R does not vio-
late the device’s electrical specification.
3: R1 = 100
to 1 k
will limit any current
flowing into MCLR from external capaci-
tor C in the event of MCLR/V
PP
pin break-
down due to Electrostatic Discharge
(ESD) or Electrical Overstress (EOS).
C
R1
R
D
V
DD
MCLR
PIC16CE62X
V
DD
FIGURE 10-13: EXTERNAL BROWN-OUT
PROTECTION CIRCUIT 1
FIGURE 10-14: EXTERNAL BROWN-OUT
PROTECTION CIRCUIT 2
Note 1: This circuit will activate reset when V
DD
goes below (Vz + 0.7V) where
Vz = Zener voltage.
2: Internal Brown-out Reset circuitry
should be disabled when using this cir-
cuit.
V
DD
33k
10k
40k
V
DD
MCLR
PIC16CE62X
Note 1: This brown-out circuit is less expensive,
albeit less accurate. Transistor Q1 turns
off when V
DD
is below a certain level
such that:
2: Internal brown-out detection should be
disabled when using this circuit.
3: Resistors should be adjusted for the
characteristics of the transistor.
V
DD
x
R1
R1 + R2
= 0.7 V
V
DD
R2
40k
V
DD
MCLR
PIC16CE62X
R1
Q1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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