- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄367942 > PHT6N10T 1.2A, High Efficiency Step-Down DC/DC Converter; Package: SO; No of Pins: 14; Temperature Range: 0°C to +70°C PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | PHT6N10T |
| 英文描述： | 1.2A, High Efficiency Step-Down DC/DC Converter; Package: SO; No of Pins: 14; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 6A條（?。﹟的SOT - 223 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 178K |
| 代理商： | PHT6N10T |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHT8N06T | TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管) |
| PHT8N06 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHU11NQ10T | TrenchMOS⑩ standard level FET |
| PHV612 | 1.2A, High Efficiency Step-Down DC/DC Converter; Package: SO; No of Pins: 14; Temperature Range: -40°C to +85°C |
| PHV616 | High Voltage Rectifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHT6NQ10T | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 100V 6.5A SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 6.5A, SOT223 |
| PHT6NQ10T /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHT6NQ10T,135 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHT6NQ10T | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 100V 6.5A SOT223 |
| PHT6NQ10T135 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 100V 6.5A 4-SO |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。