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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHT4N10T |
| 英文描述： | 12V, 30mA Flash Memory Programming Supply; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 3.5AI（四）|的SOT - 223 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 179K |
| 代理商： | PHT4N10T |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHT6N10T | 1.2A, High Efficiency Step-Down DC/DC Converter; Package: SO; No of Pins: 14; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| PHT8N06T | TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管) |
| PHT8N06 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHU11NQ10T | TrenchMOS⑩ standard level FET |
| PHV612 | 1.2A, High Efficiency Step-Down DC/DC Converter; Package: SO; No of Pins: 14; Temperature Range: -40°C to +85°C |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHT4NQ10LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHT4NQ10LT /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHT4NQ10LT,135 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHT4NQ10LT135 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 100V 3.5A SOT223 |
| PHT4NQ10T | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 100V 3.5A SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 3.5A, SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 100V, 3.5A, SOT223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; No. of Pins:4;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-Channel 100V 3.5A SOT223 |
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