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參數資料
| 型號： | PHP80N06LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | PHP80N06LT |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP80N06LT, PHB80N06LT
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
VDS / V
ID / A
RDS(ON) = VDS/ID
1 us
10 us
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
tp =
1
10
100
1000
1
10
55
DC
SOAX514
100
10
12
14
16
18
20
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95 100
RDS(ON)/mOhm
VGS/V =
3.6
4
4.2
4.4
4.6
5
ID/A
1E-07
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth / (K/W)
1E+01
1E+00
1E-01
1E-02
1E-03
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
BUKX514-55
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
1
2
3
4
5
0
20
40
60
80
100
ID/A
VGS/V
Tj/C = 175
25
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
10
5
4
VGS = 3.8 V
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
Drain current, ID (A)
Drain-source voltage, VDS (V)
0
20
40
Drain current, ID (A)
60
80
100
0
10
20
30
40
50
60
70
Transconductance, gfs (S)
January 1998
4
Rev 1.300
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP80N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHP83N06T | TrenchMOS Standard Level FET |
| PHP87N03T | TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標準電平場效應管) |
| PHP8ND50E | PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated |
| PHW8ND50E | PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP80N06T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHP82NQ03LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V TO-220 |
| PHP83N03LT | 功能描述:MOSFET TRENCH<=30 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP83N03LT,127 | 功能描述:MOSFET PHP83N03LT/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP83N06T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS Standard Level FET |
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