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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHP69N03T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 69 A, 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | PHP69N03T |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHP69N03T
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
DR
Continuous reverse drain
current
I
DRM
Pulsed reverse drain current
V
SD
Diode forward voltage
CONDITIONS
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
69
UNIT
A
-
-
-
-
-
-
240
1.2
-
-
-
A
V
V
ns
μ
C
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 69 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 69 A; -dI
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= -10 V; V
R
= 25 V
0.95
1.0
60
0.1
t
rr
Q
rr
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 36 A; V
≤
15 V;
V
GS
= 10 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
125
UNIT
mJ
September 1997
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP69NLT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP6N10E | PowerMOS transistor |
| PHP6N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB6N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHP6N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHP69NLT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP6N10E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| PHP6N28T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220AB |
| PHP6N50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHP6N60E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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