參數(shù)資料
型號(hào)： PHP65N06T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Standard level FET
中文描述： 63 A, 55 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
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代理商： PHP65N06T
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHP65N06T
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 50 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 75 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
Fig.17. Switching test circuit.
0
10
20
30
40
0
2
4
6
8
10
12
VGS/V
QG/nC
VDS = 14V
VDS = 44V
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
20
40
60
80
100
IF/A
VSDS/V
Tj/C = 175
25
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
November 1997
6
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP69N03T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管)
PHP69NLT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP6N10E PowerMOS transistor
PHP6N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHB6N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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PHP66NQ03LT,127 功能描述:MOSFET PHP66NQ03LT/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP69N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP69N03T 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP69NLT 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET
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