參數(shù)資料
型號(hào)： PHP65N06LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述： 63 A, 55 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： PHP65N06LT
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP65N06LT, PHB65N06LT
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 5 V
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 50 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
-100
-50
0
50
100
150
200
0.5
1
1.5
2
2.5
BUK959-60
Tmb / degC
Rds(on) normlised to 25degC
a
0.01
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
VDS/V
T
Ciss
Coss
Crss
BUK959-60
-100
-50
0
50
100
150
200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tj / C
VGS(TO) / V
max.
typ.
min.
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
1
2
3
4
5
6
VGS/V
QG/nC
VDS = 14V
VDS = 44V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1E-05
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
Sub-Threshold Conduction
2%
typ
98%
0
0.5
1
1.5
0
20
40
60
80
100
IF/A
VSDS/V
Tj/C =
175
25
January 1998
5
Rev 1.300
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP65N06T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP69N03T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管)
PHP69NLT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP6N10E PowerMOS transistor
PHP6N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
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參數(shù)描述
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PHP69N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP69N03T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
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