參數(shù)資料
型號(hào)： PHP60N06T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Standard level FET
中文描述： 58 A, 55 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 64K
代理商： PHP60N06T
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHP60N06T
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
10 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-06
0.0001
0.01
t/s
1
100
0.001
0.01
0.1
1
10
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
Zth/(K/W)
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
ID/A
VDS/V
VGS/V =
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
16
10
9
8.5
1
10
100
1
10
100
1000
ID/A
VDS/V
RDS(ON) =VDS/ID
DC
tp =
1 us
10us
100 us
1 ms
10ms
100ms
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
15
20
25
30
35
40
45VGS/V =
6
6.5
7
8
9
10
ID/A
December 1997
4
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP65N06LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP65N06T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHP69N03T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管)
PHP69NLT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP6N10E PowerMOS transistor
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參數(shù)描述
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PHP65N06LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP65N06T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
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