參數(shù)資料
型號(hào)： PHP110NQ08LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS logic level FET
中文描述： 75 A, 75 V, 0.00995 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/13頁(yè)
文件大?。?/td> 91K
代理商： PHP110NQ08LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB110NQ08LT
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 29 March 2004
3 of 13
9397 750 12924
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 10 V
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa16
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Pder
(%)
03ap56
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Ider
(%)
P
der
P
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
I
D 25 C
°
)
-------------------
100
%
×
=
03ap58
1
10
102
103
1
10
102
103
VDS (V)
ID
(A)
DC
100 ms
10 ms
Limit RDSon = VDS / ID
1 ms
tp = 10
μ
s
1 s
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PHP110NQ08T 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP110NQ08T,127 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP11-10,00 功能描述:可插拔接線端子 PCBHdr Horiz 10mm RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產(chǎn)品:Plugs 系列:PTS 端接類(lèi)型:Spring Cage 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:5 線規(guī)量程:26-14 節(jié)距:5 mm 電流額定值:10 A 電壓額定值:250 V 安裝風(fēng)格: 安裝角: 觸點(diǎn)電鍍:
PHP11-10,16 功能描述:可插拔接線端子 PCBHdr Horiz 10 16mm RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產(chǎn)品:Plugs 系列:PTS 端接類(lèi)型:Spring Cage 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:5 線規(guī)量程:26-14 節(jié)距:5 mm 電流額定值:10 A 電壓額定值:250 V 安裝風(fēng)格: 安裝角: 觸點(diǎn)電鍍:
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