參數(shù)資料
型號(hào)： PHD98N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 25 V, 0.0073 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 9/14頁(yè)
文件大?。?/td> 287K
代理商： PHD98N03LT
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD98N03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 02 — 18 October 2001
9 of 14
9397 750 08726
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
9.
Package outline
Fig 14. SOT78 (TO-220AB).
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT78
SC-46
3-lead TO-220AB
D
D1
q
p
L
1
2
3
L1
(1)
b1
e
e
b
0
5
10 mm
scale
Plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead TO-220AB
SOT78
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
E
A1
c
Note
1. Terminals in this zone are not tinned.
Q
L2
UNIT
A1
b1
D1
e
p
mm
2.54
q
Q
A
b
D
c
L2
max.
3.0
3.8
3.6
15.0
13.5
3.30
2.79
3.0
2.7
2.6
2.2
0.7
0.4
15.8
15.2
0.9
0.7
1.3
1.0
4.5
4.1
1.39
1.27
6.4
5.9
10.3
9.7
L1
(1)
E
L
00-09-07
01-02-16
mounting
base
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHS6901 Switched Capacitor Regulated Voltage Inverter; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHS6905 Transimpedance Amplifier
PHT1N52U TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 520V V(BR)DSS | 800MA I(D) | SOT-223
PHT1N60S Switched Capacitor Regulated Voltage Inverter; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHT1N60T TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 650MA I(D) | SOT-223
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD98N03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD9NQ20T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor
PHD9NQ20T /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD9NQ20T,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHDCC-135W 制造商:Power-One 功能描述:
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