參數(shù)資料
型號(hào)： PHD98N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 25 V, 0.0073 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： PLASTIC, SC-63, TO-252, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/14頁(yè)
文件大小： 287K
代理商： PHD98N03LT
PHP/PHB/PHD98N03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev. 02 — 18 October 2001
Product data
1.
Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS
1
technology.
Product availability:
PHP98N03LT in SOT78 (TO-220AB)
PHB98N03LT in SOT404 (D
2
-PAK)
PHD98N03LT in SOT428 (D-PAK).
2.
Features
I
Low on-state resistance
I
Fast switching.
3.
Applications
I
Computer motherboard high frequency DC to DC converters.
4.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 and SOT428 packages.
1.
TrenchMOS is a trademark of Koniklijke Philips Electronics N.V.
Table 1:
Pin
Pinning - SOT78, SOT404, SOT428 simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1
gate (g)
SOT78 (TO-220AB)
SOT404 (D
2
-PAK)
SOT428 (D-PAK)
2
drain (d)
[1]
3
source (s)
mb
mounting base,
connected to drain (d)
MBK106
1 2
mb
3
1
3
2
MBK116
mb
MBK091
Top view
1
3
mb
2
s
d
g
MBB076
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHS6901 Switched Capacitor Regulated Voltage Inverter; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHS6905 Transimpedance Amplifier
PHT1N52U TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 520V V(BR)DSS | 800MA I(D) | SOT-223
PHT1N60S Switched Capacitor Regulated Voltage Inverter; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHT1N60T TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 650MA I(D) | SOT-223
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD98N03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD9NQ20T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor
PHD9NQ20T /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD9NQ20T,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHDCC-135W 制造商:Power-One 功能描述:
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