參數(shù)資料
型號： PHD55N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管)
中文描述： 55 A, 25 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, DPAK-3
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： PHD55N03LT
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP55N03LT, PHB55N03LT
PHD55N03LT
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.17. SOT404 : soldering pattern for surface mounting
17.5
11.5
9.0
5.08
3.8
2.0
October 1999
8
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP55N03LT N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管)
PHB69N03LT N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管)
PHD69N03LT N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管)
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PHB69N03T TrenchMOS transistor Standard Level FET(TrenchMOS 晶體管標準電平場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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PHD55N03LTA 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:55 A, 25 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
PHD55N03LTA,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD55N04LT 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 35V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-252AA
PHD5N20E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor
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