參數(shù)資料
型號： PF48F4000P0ZBQ0
廠商： INTEL CORP
元件分類： PROM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 88 ns, PBGA88
封裝： 8 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, SCSP-88
文件頁數(shù)： 95/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： PF48F4000P0ZBQ0
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
95
C.3
CFI Query Identification String
The Identification String provides verification that the component supports the Common Flash
Interface specification. It also indicates the specification version and supported vendor-specified
command set(s).
Table 34.
CFI Identification
Table 35.
System Interface Information
Offset
Length
Description
Add.
10:
11:
12:
13:
14:
15:
16:
17:
18:
19:
1A:
Hex
Code
--51
--52
--59
--01
--00
--0A
--01
--00
--00
--00
--00
Value
"Q"
"R"
"Y"
10h
3
Query-unique ASCII string “QRY“
13h
2
Primary vendor command set and control interface ID code.
16-bit ID code for vendor-specified algorithms
Extended Query Table primary algorithm address
15h
2
17h
2
Alternate vendor command set and control interface ID code.
0000h means no second vendor-specified algorithm exists
Secondary algorithm Extended Query Table address.
0000h means none exists
19h
2
Offset
Length
Description
Add.
1B:
Hex
Code
--17
Value
1.7V
1Bh
1
1Ch
1
1C:
--20
2.0V
1Dh
1
1D:
--85
8.5V
1Eh
1
1E:
--95
9.5V
1Fh
20h
21h
22h
23h
24h
25h
26h
1
1
1
1
1
1
1
1
“n” such that typical single word program time-out = 2
n
μ-sec
“n” such that typical max. buffer write time-out = 2
n
μ-sec
“n” such that typical block erase time-out = 2
n
m-sec
“n” such that typical full chip erase time-out = 2
n
m-sec
“n” such that maximum word program time-out = 2
n
times typical
“n” such that maximum buffer write time-out = 2
n
times typical
“n” such that maximum block erase time-out = 2
n
times typical
“n” such that maximum chip erase time-out = 2
n
times typical
1F:
20:
21:
22:
23:
24:
25:
26:
--08
--09
--0A
--00
--01
--01
--02
--00
256μs
512μs
1s
NA
512μs
1024μs
4s
NA
V
PP
[programming] supply minimum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 HEX volts
V
PP
[programming] supply maximum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 HEX volts
V
CC
logic supply minimum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 BCD volts
V
CC
logic supply maximum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 BCD volts
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PF48F0P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F2P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F3P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F4P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F4P0VB00 Photoelectric Sensor; Sensor Input Type:Optical; Sensing Range Max:43mm; Sensor Output Type:Relay; Leaded Process Compatible:No; Output Type:Relay; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Contact Current Max:3A; Contact Rating:3A
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參數(shù)描述
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PF48F4000P0ZBQEF 功能描述:IC FLASH 256MBIT SCSP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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