參數(shù)資料
型號： PF48F3000P0ZBQ0
廠商： INTEL CORP
元件分類： PROM
英文描述： CAP 0.01UF 63V 10% MET-POLY-BOX RAD5MM 7.5X6.5X2.5MM BULK
中文描述： 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PBGA88
封裝： 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, SCSP-88
文件頁數(shù)： 47/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商： PF48F3000P0ZBQ0
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
47
8.3
Power Supply Decoupling
Flash memory devices require careful power supply de-coupling. Three basic power supply current
considerations are: 1) standby current levels; 2) active current levels; and 3) transient peaks
produced when CE# and OE# are asserted and deasserted.
When the device is accessed, many internal conditions change. Circuits within the device enable
charge-pumps, and internal logic states change at high speed. All of these internal activities
produce transient signals. Transient current magnitudes depend on the device outputs’ capacitive
and inductive loading. Two-line control and correct de-coupling capacitor selection suppress
transient voltage peaks.
Because Intel
Multi-Level Cell (MLC) flash memory devices draw their power from V
CC
, VPP,
and VCCQ, each power connection should have a 0.1 μF ceramic capacitor to ground. High-
frequency, inherently low-inductance capacitors should be placed as close as possible to package
leads.
Additionally, for every eight devices used in the system, a 4.7 μF electrolytic capacitor should be
placed between power and ground close to the devices. The bulk capacitor is meant to overcome
voltage droop caused by PCB trace inductance.
Figure 27.
Reset Operation Waveforms
(
A) Reset during
read mode
(B) Reset during
program or block erase
P1
≤
P2
(C) Reset during
program or block erase
P1
≥
P2
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
RST# [P]
RST# [P]
RST# [P]
Abort
Complete
Abort
Complete
V
CC
0V
V
CC
(D) VCC Power-up to
RST# high
P1
R5
P2
P3
P2
R5
R5
相關PDF資料
PDF描述
PF48F4000P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F0P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F2P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F3P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F4P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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PF48F3000P0ZTQ0 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory
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PF48F3000P0ZTQEA 功能描述:IC FLASH 128MBIT 65NM SCSP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
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