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    參數(shù)資料
    型號(hào)： PF48F0P0ZB00
    廠商： Intel Corp.
    英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
    中文描述： 英特爾StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器
    文件頁數(shù)： 27/102頁
    文件大小： 1609K
    代理商： PF48F0P0ZB00
    1-Gbit P30 Family
    Datasheet
    Intel StrataFlash
    Embedded Memory (P30)
    Order Number: 306666, Revision: 001
    April 2005
    27
    0
    128
    18
    0F0000 - 0FFFFF
    10
    070000 - 07FFFF
    .
    .
    .
    .
    .
    128
    4
    010000 - 01FFFF
    4
    010000 - 01FFFF
    32
    3
    00C000 - 00FFFF
    3
    00C000 - 00FFFF
    .
    .
    .
    .
    .
    32
    0
    000000 - 03FFFF
    0
    000000 - 00FFFF
    Table 8.
    Discrete Bottom Parameter Memory Maps (all packages)
    Programming
    Region
    Size
    (KB)
    Blk
    256-Mbit
    Blk
    128-Mbit
    Programming
    Region
    Size
    (KB)
    Blk
    64-Mbit
    Table 9.
    512-Mbit Memory Map (Easy BGA and QUAD+ SCSP)
    Flash Die #
    Die Stack Config.
    Size (KB)
    512-Mbit Flash (2x256-Mbit w/ 1CE)
    Blk
    Address Range
    2
    Flash Die #2
    (Top Parameter)
    32
    258
    FFC000 - FFFFFF
    .
    .
    .
    32
    255
    FF0000 - FF3FFF
    128
    254
    FE0000 - FEFFFF
    .
    .
    .
    128
    0
    000000 - 00FFFF
    1
    Flash Die #1 (Bottom
    Parameter)
    128
    258
    FF0000 - FFFFFF
    .
    .
    .
    128
    4
    010000 - 01FFFF
    32
    3
    00C000 - 00FFFF
    .
    .
    .
    32
    0
    000000 - 003FFF
    Note:
    Refer to 256-Mbit Memory Map (
    Table 7
    and
    Table 8
    ) for Programming Region Information.
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    PDF描述
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    PF48F4P0ZB00 Coaxial Cable; Coaxial RG/U Type:6; Impedance:75ohm; Conductor Size AWG:18; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Capacitance:16.2pF/ft; Conductor Material:Steel; Conductor Plating:Copper RoHS Compliant: Yes
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    PF48F2000P0ZBQ0A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 88TPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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