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參數(shù)資料
| 型號： | PF01411B |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone |
| 中文描述： | 場效應(yīng)晶體管功率放大器模塊，電子的GSM手持電話 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 26K |
| 代理商： | PF01411B |
PF01411B
3
Package Dimensions
Unit: mm
4
G
3
4
G
G
3
1
G
2
1
G
G
2
(Upper side)
(Bottom side)
(
8
±
8
±
Pin arrangement
1: Pin
2: Vapc
3: Vdd
4: Pout
G: GND
13.75
±
0.3
(9.6)
1
G
G
G
G
2
(
1.8
±
0.2
(
(
(
4
3
(6.875)
13.75
±
0.3
(1.8)
(1.3)
(1.6) (1.8) (1.3) (1.8)
(1.8)
(2.225)
(2.975)
(6.875)
Remark:
Coplanarity of bottom side of terminals
are less than 0 +/
0.1mm.
(
Hitachi code
EIAJ code
JEDEC code
RF-K
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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