- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369948 > PC28F640J3A-120 (Intel Corp.) Intel StrataFlash Memory (J3) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | PC28F640J3A-120 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| 中文描述： | 英特爾StrataFlash存儲器（J3） |
| 文件頁數(shù)： | 19/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 905K |
| 代理商： | PC28F640J3A-120 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁當(dāng)前第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁
256-Mbit J3 (x8/x16)
Datasheet
19
6.0
Electrical Specifications
6.1
DC Current Characteristics
Table 6. DC Current Characteristics (Sheet 1 of 2)
VCCQ
2.7 - 3.6V
Test Conditions
Notes
VCC
2.7 - 3.6V
Symbol
Parameter
Typ
Max
Unit
I
LI
Input and V
PEN
Load Current
±
1
μ
A
V
CC
= V
CC
Max; V
CCQ
= V
CCQ
Max
V
IN
= V
CCQ
or GND
1
I
LO
Output Leakage Current
±
10
μ
A
V
CC
= V
CC
Max; V
CCQ
= V
CCQ
Max
V
IN
= V
CCQ
or GND
1
I
CCS
V
CC
Standby Current
50
120
μ
A
CMOS Inputs, V
= V
CC
Max,
Device is disabled (see
Table 13, “Chip Enable
Truth Table” on page 33
),
RP# = V
CCQ
± 0.2 V
1,2,3
0.71
2
mA
TTL Inputs, V
= V
Max,
Device is disabled (see
Table 13
), RP# = V
IH
I
CCD
V
CC
Power-Down Current
50
120
μ
A
RP# = GND ± 0.2 V, I
OUT
(STS) = 0 mA
I
CCR
V
Page Mode Read
Current
4-
word
Page
15
20
mA
CMOS Inputs, V
= V
Max, V
= V
Max using standard 4 word page mode reads.
Device is enabled (see
Table 13
)
f = 5 MHz, I
OUT
= 0 mA
1,3
24
29
mA
CMOS Inputs,V
= V
Max, V
= V
Max using standard 4 word page mode reads.
Device is enabled (see
Table 13
)
f = 33 MHz, I
OUT
= 0 mA
8-
word
Page
10
15
mA
CMOS Inputs, V
= V
Max, V
=
V
Max using standard 8 word page
mode reads.
Device is enabled (see
Table 13
)
f = 5 MHz, I
OUT
= 0 mA
30
54
mA
CMOS Inputs,V
= V
Max, V
=
V
Max using standard 8 word page
mode reads.
Device is enabled (see
Table 13
)
f = 33 MHz, I
OUT
= 0 mA
Density: 128-, 64-, and 32- Mbit
26
46
mA
CMOS Inputs,V
CC
= V
CC
Max, V
CCQ
=
V
CCQ
Max using standard 8 word page
mode reads.
Device is enabled (see
Table 13
)
f = 33 MHz, I
OUT
= 0 mA
Density: 256Mbit
I
CCW
V
Program or Set Lock-
Bit Current
35
60
mA
CMOS Inputs, V
PEN
= V
CC
1,4
40
70
mA
TTL Inputs, V
PEN
= V
CC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PC28F640J3A-125 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F640J3A-150 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F640J3C-120 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F256J3C-115 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F128J3C-115 | Intel StrataFlash Memory (J3) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PC28F640J3A-125 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F640J3A-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F640J3C-110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| PC28F640J3C115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| PC28F640J3C-115 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。