參數(shù)資料
型號： PBSS5350SA
英文描述： 50 V low VCEsat PNP transistor
中文描述： 50伏低飽和壓降PNP型晶體管
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大小： 78K
代理商： PBSS5350SA
DATA SHEET
Objective specification
2002 Oct 22
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PBSS5350SA
50 V low V
CEsat
PNP transistor
book, halfpage
M3D186
相關PDF資料
PDF描述
PBSS5350S 50 V low VCEsat PNP transistor
PBSS8110S 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBW1CL Assemblies
PBW1CV Assemblies
PBW3CL Assemblies
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PBSS5350SS 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor
PBSS5350SS T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS5350SS,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS5350T 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature Max:150C;;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PNP transistor 3A SOT23,PBSS5350T
PBSS5350T T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 50V 2A LO VCESAT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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