參數(shù)資料
型號: PBSS8110S
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
中文描述: 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/7頁
文件大小: 54K
代理商: PBSS8110S
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 2003 Nov 11
2004 Aug 13
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PBSS8110S
100 V, 1 A
NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
book, halfpage
M3D186
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PBSS8110T 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:150; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature ;RoHS Compliant: Yes
PBSS8110T T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 100V 1A 3-Pin TO-236AB T/R
PBSS8110T,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS8110T/DG,215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Tape & Reel